绝大多数传输EMI难题全是由共模噪音造成的。并且，绝大多数共模噪音难题全是由正弦波逆变电源中的寄生电容造成的。

针对该探讨主题的第一一部分，大家主要探讨当寄生电容立即藕合到正弦波逆变电源键入电缆线时候产生的状况

1.只需几fF的杂散电容器便会造成EMI扫描仪不成功。从实质上讲，电源开关正弦波逆变电源具备出示高dV/dt的连接点。寄生电容与高dV/dt的混和会造成EMI难题。在寄生电容的另一端联接至正弦波逆变电源键入端时，会出现小量电流量立即水下混凝土至正弦波逆变电源线。

2.查询正弦波逆变电源中的寄生电容。大家都还记得物理课上讲过，2个电导体中间的电容器与电导体面积正比，与二者之间的间距反比。查询电源电路中的每一个连接点，并需注意具备高dV/dt的连接点。想一想电源电路合理布局中该连接点的面积多少钱，连接点间距线路板键入路线多远。电源开关MOSFET的漏极和缓存电源电路是普遍的元凶。

3.减少表层总面积有方法。尝试尽可能应用表层贴片封裝。选用直立式TO-220封裝的FET具备巨大的漏极菜单栏(draintab)表层总面积，遗憾的是它一般碰巧是具备最大dV/dt的连接点。试着应用表层贴片DPAK或D2PAKFET替代。在DPAK菜单栏下边的矮层PCB上放置一个初中级接地装置控制面板，就可优良遮掩FET的底端，进而可明显降低寄生电容。

有时表层总面积必须用以排热。假如务必应用带散热器的TO-220类FET，试着将散热器联接至初中级接地装置（而不是地面接地装置）。那样不但有利于遮掩FET，并且还有利于降低杂散电容器。

让开关节点与键入联接中间保持距离，让键入走线与具备高dV/dt的连接点靠得太近会提升传输EMI。

我根据简易调节线路板（无电源电路转变），将噪音减少了大概6dB。在一些状况下，贴近高dV/dt开展键入路线走线乃至还可击坏共模电磁线圈(CMC)。从线路板合理布局开展EMI扫描仪，在其中AC键入与电路间距较近。从线路板合理布局开展EMI扫描仪，在其中AC键入与电路中间间距很大。